高壓電機繞組線(xiàn)圈槽部直線(xiàn)部分絕緣外表面與槽壁之間存在間隙，絕緣外表面與槽壁之間的間隙法向場(chǎng)強，在未作防暈處理時(shí)，可視為雙層介質(zhì)的平板電容器，即絕緣表面單位面積電容與嵌線(xiàn)間隙單位面積的體積電容。它的存在將使繞組線(xiàn)圈表面對地電壓提高。

     在設計中嵌線(xiàn)的單邊間隙通常控制在0.35mm以下；繞組線(xiàn)圈單邊厚度若按通常6kV電壓級為2.0mm、10kV電壓級為3.0mm，在這一設定的情況下間隙法向場(chǎng)強的幅值也將增大。依據計算和驗證：均勻電場(chǎng)的起始電離場(chǎng)強為60kV/cm；通風(fēng)槽口為不均勻電場(chǎng)，其起始場(chǎng)強為8.1kV/cm，不均勻電場(chǎng)起暈場(chǎng)強幅值為11.4kV/cm。所以在6kV電壓級繞組線(xiàn)圈槽部絕緣表面其法向場(chǎng)強和軸向場(chǎng)強都處于起暈臨界狀態(tài)，而對10kV電壓級及以上更高電壓等級的電動(dòng)機繞組線(xiàn)圈的相部就必將產(chǎn)生電暈。

     為防止槽部電暈，高壓繞組線(xiàn)圈槽部直線(xiàn)部分絕緣，搭接繞包一層下級無(wú)溶劑整浸漬超薄型，厚度為0.06mm×25mm低阻防電暈帶，使通風(fēng)槽口不均勻電場(chǎng)分布較為均勻，以降低軸向場(chǎng)強，尤其是在繞組線(xiàn)圈、定子鐵心和槽口經(jīng)防電暈處理之后，槽隙阻抗比防電暈層表面電阻大得多，槽隙間距大小對起始放電電壓已失去影響。所以，再縮小槽隙間距勢必使嵌線(xiàn)的槽隙公差，并將其控制在0.35mm以下已沒(méi)必要。因為這將會(huì )使嵌線(xiàn)工藝極其困難，同時(shí)過(guò)小的嵌線(xiàn)間隙將會(huì )使具有防暈層的繞組線(xiàn)圈表面，在嵌線(xiàn)過(guò)程中破壞防電暈層和主絕緣，而達不到我們所預期效果。

     另外，根據巴申定律和氣體放電試驗所驗證的數據和結論，具有防暈絕緣結構的繞組線(xiàn)圈對鐵心相壁的電壓高低，取決于主絕緣厚度、介電系數、防電暈表面電阻率和線(xiàn)圈與鐵心槽壁接觸點(diǎn)之間的長(cháng)度。如若防電暈層的電阻很低，則只要防暈層有一點(diǎn)穩定的接地點(diǎn)，即可將繞組線(xiàn)圈表面與槽壁間的間隙全部短路。因為低阻防電暈層與槽壁接觸部位已處于低地電位，即將使間隙相對短路而消除了電容，此時(shí)也就不會(huì )再產(chǎn)生電暈。但是，我們都知道降低防電暈層表面電阻率，是降低絕緣表面對地電壓Z有效措施，可是當ρs<102Ω·m時(shí)，將會(huì )增加防電暈層表面渦流損耗和防暈層主磁通感應電壓所引發(fā)的電導損耗。

     因此，為了降低防暈層的損耗，實(shí)際上防電暈層的電阻率又不能過(guò)低。一般情況下，允許防暈層的單位體積中的損耗為3mW/cm3，其相應的防電暈層Z小電阻率為103-105Ω·m是合理的。而高于此限也就會(huì )產(chǎn)生繞組線(xiàn)圈表面與槽壁接觸點(diǎn)較遠的防電暈層部位不能處于地電位，而其電位的大小是由電容電流在低電阻率的防電暈層上所產(chǎn)生的壓降來(lái)決定它的電位。

     所以從設計角度來(lái)考慮，尤其是熱固性絕緣的線(xiàn)圈表面與槽壁接觸點(diǎn)的點(diǎn)距較大，線(xiàn)圈表面對地電壓又幾乎按線(xiàn)圈表面與鐵心槽壁接觸點(diǎn)與接觸點(diǎn)之間長(cháng)度倍數的二次方而增高。所以，只能采取有效的工藝措施，Z大限度地縮短線(xiàn)圈表面與鐵心槽壁接觸點(diǎn)與接觸點(diǎn)之間的長(cháng)度，才是降低線(xiàn)圈表面對地電壓和防止電暈產(chǎn)生的Z重要的方法。